MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi NTBS9D0N10MC, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 205-2496
- Nº ref. fabric.:
- NTBS9D0N10MC
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
9,13 €
(exc. IVA)
11,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas existencias de RS
- Última(s) 1510 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 0,913 € | 9,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 205-2496
- Nº ref. fabric.:
- NTBS9D0N10MC
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | NTB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 68W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 14.6mm | |
| Anchura | 9.6 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie NTB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 68W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 14.6mm | ||
Anchura 9.6 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET 100V de canal N único de on Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.
La corriente nominal de drenaje continuo es 60A
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es de 9,0 Mohmios
Baja RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Rendimiento de conmutación optimizado
QG bajo y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador
El diodo de cuerpo más suave y Qrr más bajo del sector para un ruido bajo superior conmutación
Reduce el ruido de conmutación/EMI
Alta eficiencia con pico de conmutación más bajo y EMI
El tipo de encapsulado es D2PAK3
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 1200 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, TO-263 de 3 pines