MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SiSS78LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 66.7 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines

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Código RS:
210-5019
Nº ref. fabric.:
SiSS78LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

66.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Serie

SiSS78LDN

Tipo de montaje

Superficie, Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.4mm

Longitud

3.4mm

Altura

0.83mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de 70 V (D-S) de Vishay tiene un encapsulado PowerPAK 1212-8S.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

RDS muy bajo x Qg de valor de mérito (FOM)

Ajuste para el RDS más bajo x Qoss FOM

Probado al 100 % Rg y UIS

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