MOSFET Vishay, N-Canal SiSS78LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 66.7 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
210-5019
Nº ref. fabric.:
SiSS78LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

70 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

66.7 A

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Modo de canal

Mejora

Número de pines

8

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.1 V

Altura

830 μm

Longitud

3.4 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

4.8 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

57 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Serie

SiSS78LDN

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

32 nC

Anchura

3.4 mm

The Vishay N-Channel 70 V (D-S) MOSFET has PowerPAK 1212-8S package type.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.