- Código RS:
- 210-5019
- Nº ref. fabric.:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)
0,491 €
(exc. IVA)
0,594 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
3000 + | 0,491 € | 1.473,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 210-5019
- Nº ref. fabric.:
- SiSS78LDN-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Vishay de canal N de 70 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK 1212-8S.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
Figura de mérito (FOM) RDS x QG muy baja
Ajustado para el FOM RDS x QOSS más bajo
100 % RG y prueba UIS
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 66,7 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 70 V |
Tipo de Encapsulado | POWERPAK 1212-8S |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.0048 Ω |
Tensión de umbral de puerta máxima | 1 → 2.3V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
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