MOSFET Vishay, Tipo N, Tipo N-Canal SiSS78LDN-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 66.7 A, PowerPAK 1212-8S, Mejora de 8 pines

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Código RS:
210-5019
Nº ref. fabric.:
SiSS78LDN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

66.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

70V

Serie

SiSS78LDN

Encapsulado

PowerPAK 1212-8S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

57W

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Anchura

3.4mm

Altura

0.83mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de 70 V (D-S) de Vishay tiene un encapsulado PowerPAK 1212-8S.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

RDS muy bajo x Qg de valor de mérito (FOM)

Ajuste para el RDS más bajo x Qoss FOM

Probado al 100 % Rg y UIS

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