MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL60R285P7AUMA1, VDSS 600 V, ID 13 A, Mejora, ThinPAK de 5 pines
- Código RS:
- 215-2524
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R285P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*
10,08 €
(exc. IVA)
12,20 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2870 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 + | 1,008 € | 10,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2524
- Nº ref. fabric.:
- IPL60R285P7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 13A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Encapsulado | ThinPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 285mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 59W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Altura | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 13A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Encapsulado ThinPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 285mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 59W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 8.1mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Altura 8.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon 600V Cool MOS™ P7 es la sucesora de la serie 600V Cool MOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia. Combina las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida con una excelente facilidad de uso, por ejemplo, una tendencia de timbre muy baja, una excelente solidez del diodo del cuerpo contra conmutación dura y una excelente capacidad ESD. Además, las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que la aplicación de conmutación sea siete más eficiente, más compacta y mucho más fría.
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC) debido a una extraordinaria resistencia a la conmutación
Excelente resistencia ESD >2kV(HBM) para todos los productos
Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, ThinPAK de 5 pines