MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN70R900P7SATMA1, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

20,25 €

(exc. IVA)

24,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 - 500,405 €20,25 €
100 - 2000,30 €15,00 €
250 - 4500,28 €14,00 €
500 - 12000,263 €13,15 €
1250 +0,243 €12,15 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-2528
Nº ref. fabric.:
IPN70R900P7SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

SOT-223

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

900mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

6.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.8nC

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon 700V Cool MOS™ P7 de súper unión se dirige al mercado de SMPS de baja potencia, como cargadores de teléfono móvil o adaptadores de ordenador portátil, ofreciendo ganancias de rendimiento fundamentales en comparación con las tecnologías de súper unión utilizadas actualmente. La tecnología cumple los más altos estándares de eficiencia y es compatible con alta densidad de potencia, lo que permite a los clientes ir hacia diseños muy compactos. La última CoolMOS™P7 es una plataforma optimizada diseñada para aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo como cargador, adaptador, iluminación, TV, etc.

Pérdidas extremadamente bajas debido al bajo FOMRDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Excelente comportamiento térmico

Diodo de protección ESD integrado

Pérdidas de conmutación bajas (Eoss)

Enlaces relacionados