MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04LCR, VDSS 40 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines

Código RS:: 216-9685
Nº ref. fabric.:: TSM110NB04LCR
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04LCR, VDSS 40 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines

4775 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,788 €

(exc. IVA)

0,953 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 25	0,788 €	19,70 €
50 - 75	0,773 €	19,325 €
100 - 225	0,71 €	17,75 €
250 - 975	0,696 €	17,40 €
1000 +	0,647 €	16,175 €

*precio indicativo

Código RS:: 216-9685
Nº ref. fabric.:: TSM110NB04LCR
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Datasheet-TSM110NB04LCR

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	TSM025
Tipo de Encapsulado	PDFN56
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	11 m.Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.5V
Material del transistor	Silicio

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04LCR, VDSS 40 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines

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