MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR, VDSS 60 V, ID 51 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9687
- Nº ref. fabric.:
- TSM130NB06CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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- Código RS:
- 216-9687
- Nº ref. fabric.:
- TSM130NB06CR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 51A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 51A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS 2011/65/EU, WEEE 2002/96/EC | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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