MOSFET Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR, VDSS 60 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines

Código RS:: 216-9687
Nº ref. fabric.:: TSM130NB06CR
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR, VDSS 60 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines

5000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

1,06 €

(exc. IVA)

1,28 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 25	1,06 €	26,50 €
50 - 75	1,041 €	26,025 €
100 - 225	0,954 €	23,85 €
250 - 975	0,936 €	23,40 €
1000 +	0,868 €	21,70 €

*precio indicativo

Código RS:: 216-9687
Nº ref. fabric.:: TSM130NB06CR
Fabricante:: Taiwan Semiconductor

Documentación Técnica

Datasheet-TSM130NB06CR

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG

Especificaciones

Atributo	Valor
Corriente Máxima Continua de Drenaje	51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	PDFN56
Serie	TSM025
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	13 m.Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Material del transistor	Silicio

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR, VDSS 60 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines

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