MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM130NB06LCR, VDSS 60 V, ID 51 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
No sabemos si este producto volverá a estar disponible, ya que el fabricante lo está descatalogando.
Opciones de empaquetado:
Código RS:
216-9689
Nº ref. fabric.:
TSM130NB06LCR
Fabricante:
Taiwan Semiconductor
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Taiwan Semiconductor

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PDFN56

Serie

TSM025

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

37nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.1mm

Longitud

6.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.2 mm

Estándar de automoción

No

Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

Baja RDS(ON) para minimizar pérdidas conductivas Carga de puerta baja para conmutación de potencia rápida Probado 100 % para UIS y RG

Enlaces relacionados