MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 217-2530
Nº ref. fabric.:: IPD60R600P7SAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

5175 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,659 €

(exc. IVA)

0,797 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 - 100	0,659 €	16,475 €
125 - 225	0,626 €	15,65 €
250 - 600	0,60 €	15,00 €
625 - 1225	0,573 €	14,325 €
1250 +	0,534 €	13,35 €

*precio indicativo

Código RS:: 217-2530
Nº ref. fabric.:: IPD60R600P7SAUMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPD60R600P7SAUMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 SuperJunction (SJ) 600V es el sucesor de la serie 600V CoolMOS™ P6. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor R onxA de su clase y la carga de puerta (Q G) inherentemente baja de la plataforma de generación CoolMOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.

El 600V P7 permite una excelente resistencia FOM R DS(on)XE OSS DS(on)xQ GESD de ≥ 2kV (HBM clase 2)
Resistencia de puerta R G integrada
Diodo de cuerpo resistente
Amplia gama de encapsulados de montaje en superficie y orificio pasante
Hay disponibles piezas de grado estándar e industrial

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	600 meses
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPD60R600P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Especificaciones

Enlaces relacionados