MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R280P7SAUMA1, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
218-3051
Nº ref. fabric.:
IPD60R280P7SAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.41mm

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N serie 600V CoolMOS™ P7. Tiene pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas, lo que hace que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas y mucho más frías.

Reducción significativa de pérdidas de conducción y conmutación

Adecuado para conmutación dura y suave

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