MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.2 kV, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines, 1
- Código RS:
- 219-4223
- Nº ref. fabric.:
- SCTH70N120G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 219-4223
- Nº ref. fabric.:
- SCTH70N120G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 1.2 kV | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 90 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Número de pines | 7 | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.21 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | SCTH70N | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 1.2 kV | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 90 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Número de pines 7 | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.21 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie SCTH70N | ||
The STMicroelectronics silicon carbide power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 2nd generation Sic MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very high operating junction temperature capability (TJ = 175 °C)
Very fast and robust intrinsic body diode
Extremely low gate charge and input capacitances
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