MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN66D0LDWQ-7, VDSS 60 V, ID 217 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-2848
Nº ref. fabric.:
DMN66D0LDWQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

217mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

US

Serie

DMN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

250mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

0.95mm

Certificaciones y estándares

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

Anchura

1.3 mm

Longitud

2.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200

El MOSFET DiodesZetex de modo de mejora de canal N doble está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Está calificado para AEC-Q101, y es compatible con PPAP.

MOSFET doble de canal N

Baja resistencia

Baja tensión umbral de compuerta

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

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