MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT64M8LCG-7, VDSS 60 V, ID 16.1 A, Mejora, VDFN de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

8,80 €

(exc. IVA)

10,60 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1620 unidad(es) más para enviar a partir del 27 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 - 400,88 €8,80 €
50 - 900,86 €8,60 €
100 - 2400,673 €6,73 €
250 - 9900,622 €6,22 €
1000 +0,606 €6,06 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-2881
Nº ref. fabric.:
DMT64M8LCG-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

VDFN

Serie

DMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

2.16W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

47.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

3.3mm

Anchura

0.8 mm

Longitud

3.3mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar RDS(ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo es ideal para usar en gestión de alimentación de batería de portátil e interruptor de carga.

Alta eficiencia de conversión

Baja RDS(ON): Minimiza las pérdidas de estado

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Puerta protegida contra ESD

Enlaces relacionados