MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1.188,00 €

(exc. IVA)

1.437,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 3000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,396 €1.188,00 €

*precio indicativo

Código RS:
228-2924
Nº ref. fabric.:
SiS590DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

PowerPAK 1212-8 doble

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.251Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

23.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.5nC

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N y P combinado de -100 V Vishay.

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados