MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble, Mejora de 8 pines, 2,

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
228-2925
Nº ref. fabric.:
SiS590DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK 1212-8 doble

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.251Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

23.1W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N y P combinado de -100 V Vishay.

100 % Rg y UIS probados

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