Nº ref. fabric.

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble, Mejora de 8 pines, 2,

Código RS:: 228-2925
Nº ref. fabric.:: SiS590DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble, Mejora de 8 pines, 2,

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

9,69 €

(exc. IVA)

11,72 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Últimas existencias de RS

Última(s) 5920 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
10 - 90	0,969 €	9,69 €
100 - 240	0,911 €	9,11 €
250 - 490	0,823 €	8,23 €
500 - 990	0,775 €	7,75 €
1000 +	0,727 €	7,27 €

*precio indicativo

Código RS:: 228-2925
Nº ref. fabric.:: SiS590DN-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	PowerPAK 1212-8 doble
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.251Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	23.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	4.5nC
	Configuración de transistor	Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Número de elementos por chip	2
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P, Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado PowerPAK 1212-8 doble
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.251Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 23.1W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.5nC
	Configuración de transistor Doble
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Número de elementos por chip 2
	Estándar de automoción No

Datasheet - SiS590DN-T1-GE3

MOSFET de canal N y P combinado de -100 V Vishay.

100 % Rg y UIS probados

MOSFET Vishay, Tipo P, Tipo N-Canal SiS590DN-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 4 A, PowerPAK 1212-8 doble, Mejora de 8 pines, 2,

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €

Enlaces relacionados