MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPB720P15LMATMA1, VDSS 150 V, ID 41 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
235-4850
Nº ref. fabric.:
IPB720P15LMATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

41A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de canal P Infineon OptiMOS™ de 100V plg. En encapsulado D²PAK representan la nueva tecnología diseñada para aplicaciones de gestión de batería, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su interfaz sencilla con MCU, conmutación rápida y resistencia a avalancha lo convierten en adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en el nivel normal con un amplio rango RDS(ON) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias al bajo QG. Se utiliza en gestión de baterías y automatización industrial.

Disponible en 4 encapsulados diferentes

Amplia gama

Nivel normal y disponibilidad de nivel lógico

Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja

Interfaz sencilla con MCU

Poca complejidad de diseño

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