MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1026X-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 0.31 A, N, SOT-563 de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7335
Nº ref. fabric.:
SI1026X-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-563

Serie

Si1026X

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4Ω

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.4V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.56mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Longitud

1.5mm

Anchura

1.5 mm

Estándar de automoción

No

La matriz mosfet Vishay Semiconductor de 2 canales N doble de 60 V, 305 mA y 250 mW de montaje superficial SC-89 (SOT-563F) sin halógenos conforme a la definición IEC 61249-2-21.

Baja resistencia de conexión de 1,40 ohmios

Umbral bajo de 2 V

Baja capacitancia de entrada de 30 pF

Fuga de entrada y salida baja

Protección ESD 2.000 V

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