MOSFET, Tipo P-Canal Infineon SPD04P10PGBTMA1, VDSS 100 V, ID 4 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
258-4034
Nº ref. fabric.:
SPD04P10PGBTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

SPD15P10P

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal P de Infineon es una familia OptiMOS muy innovadora que incluye MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.

Modo de mejora

Valor nominal de avalancha

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

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