MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQE013N04LM6CGSCATMA1, VDSS 40 V, ID 205 A, Mejora, WHTFN de 9 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
260-1077
Nº ref. fabric.:
IQE013N04LM6CGSCATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

205A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

WHTFN

Serie

IQE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

9

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Los MOSFET de Infineon permiten conectar el potencial de fuente a la PCB a través de la almohadilla térmica, lo que ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. También tiene los requisitos de refrigeración activa reducidos y el diseño eficaz para la gestión térmica, que son ventajas a nivel del sistema.

Permite la densidad de potencia y el rendimiento más altos

Rendimiento térmico superior

Posibilidades de diseño optimizadas

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