MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SISH107DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 34.4 A, Mejora, 1212-8 de 8 pines

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Código RS:
279-9983
Nº ref. fabric.:
SISH107DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

34.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

1212-8

Serie

SISH

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.014Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

41nC

Disipación de potencia máxima Pd

26.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal P y el transistor en él está fabricado de un material conocido como silicio.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % Rg y UIS

Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)

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