MOSFET Infineon, N-Canal BSC026N02KSGAUMA1, VDSS 20 V, ID 100 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple

Código RS:: 752-8154
Nº ref. fabric.:: BSC026N02KSGAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon, N-Canal BSC026N02KSGAUMA1, VDSS 20 V, ID 100 A, TDSON, Mejora de 8 pines, 1, config. Simple

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Código RS:: 752-8154
Nº ref. fabric.:: BSC026N02KSGAUMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)	20 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld)	100 A
	Encapsulado	TDSON
	Modo de canal	Mejora
	Número de pines	8
	Número de elementos por chip	1
	Configuración de transistor	Simple
	Estándar de automoción	No
	Tensión directa (Vf)	1.2 V
	Altura	1.1 mm
	Longitud	6.35 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)	4.5 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-12 V, +12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd)	2.8 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Tipo de montaje	Superficie
	Serie	OptiMOS 2
	Certificaciones y estándares	No
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs	40 nC
	Anchura	5.35 mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 20 V
	Corriente continua máxima de drenaje (ld) 100 A
	Encapsulado TDSON
	Modo de canal Mejora
	Número de pines 8
	Número de elementos por chip 1
	Configuración de transistor Simple
	Estándar de automoción No
	Tensión directa (Vf) 1.2 V
	Altura 1.1 mm
	Longitud 6.35 mm
	Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 4.5 mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -12 V, +12 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150 °C
	Disipación de potencia máxima (Pd) 2.8 W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Tipo de montaje Superficie
	Serie OptiMOS 2
	Certificaciones y estándares No
	Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs 40 nC
	Anchura 5.35 mm

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