MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 753-2841P
Nº ref. fabric.:: BSS159NH6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Precio Unidad (suministrado en un carrete) Las cantidades inferiores a 150 unidades se suministran en una tira continua

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Unidades	Por unidad
125 - 475	0,13 €
500 - 1225	0,128 €
1250 +	0,124 €

Código RS:: 753-2841P
Nº ref. fabric.:: BSS159NH6327XTSA2
Fabricante:: Infineon

BSS159N, SIPMOS Small-Signal-Transistor
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	230 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	8 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima	3.5V
Disipación de Potencia Máxima	360 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	1.3mm
Longitud	2.9mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1,4 nC a 5 V
Altura	1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET Infineon BSS159NH6327XTSA2, VDSS 60 V, ID 230 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon