MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 23 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 754-5320
Nº ref. fabric.:: BSC340N08NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSC340N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 23 A, TDSON de 8 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 10/06/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)

0,212 €

(exc. IVA)

0,257 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
5 +	0,212 €	1,06 €

*precio indicativo

Código RS:: 754-5320
Nº ref. fabric.:: BSC340N08NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOFSET de potencia Infineon OptiMOS™3, 60 a 80 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	66 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	32 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Longitud	5.35mm
Ancho	6.1mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	6,8 nC a 10 V
Altura	1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C