MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB025N10N3GATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
754-5421
Nº ref. fabric.:
IPB025N10N3GATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

155nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.57mm

Anchura

9.45 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.31mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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