MOSFET Vishay SI1070X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1,2 A, SC-89-6 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 812-3041
Nº ref. fabric.:: SI1070X-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SI1070X-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1,2 A, SC-89-6 de 6 pines, , config. Simple

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Precio unitario (Suministrado en Tiras de 20)

0,359 €

(exc. IVA)

0,434 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Cinta*
20 - 180	0,359 €	7,18 €
200 - 480	0,337 €	6,74 €
500 - 980	0,305 €	6,10 €
1000 - 1980	0,287 €	5,74 €
2000 +	0,269 €	5,38 €

*precio indicativo

Código RS:: 812-3041
Nº ref. fabric.:: SI1070X-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: PH

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	1,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SC-89-6
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	140 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.7V
Disipación de Potencia Máxima	236 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si
Ancho	1.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,8 nC a 4,5 V
Longitud	1.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	0.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C