onsemi Módulo IGBT, Q1BOOST Superficie 3

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Código RS:
245-6983
Nº ref. fabric.:
NXH40B120MNQ1SNG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

Módulo IGBT

Número de transistores

3

Disipación de potencia máxima Pd

156W

Encapsulado

Q1BOOST

Tipo de montaje

Superficie

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

55.2mm

Altura

13.9mm

Anchura

32.8 mm

Serie

NXH40B120MNQ1SNG

Estándar de automoción

No

Módulo MOSFET SiC completo | EliteSiC Full SiC Boost de tres canales, 1.200 V, MOSFET SiC de 40 mohm + 1.200 V, DBC de diodo SiC de 40 A chapado en níquel


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Medio puente MOSFET de SiC de 40 m/1200 V.

Termistor

Opciones con material de interfaz térmica preaplicado y sin TIM preaplicado

Presione los pasadores de ajuste

Estos dispositivos no contienen plomo, haluros y son conformes con RoHS

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