MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 6 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
151-923
Nº ref. fabric.:
STW8N120K5
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

TO-247

Serie

MDmesh K5

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.5V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.7nC

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics está diseñado con tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una drástica reducción de la resistencia de encendido y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una alta eficiencia.

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