MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT060HU75G3AG, VDSS 750 V, ID 30 A, Mejora, HU3PAK de 7 pines

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Código RS:
152-109
Nº ref. fabric.:
SCT060HU75G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

750V

Encapsulado

HU3PAK

Serie

SCT060HU

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

58mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±18 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Tensión directa Vf

3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

14.1mm

Altura

3.6mm

Anchura

19 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC de 3a generación avanzada e innovadora de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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