MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD020N03LF2SATMA1, VDSS 30 V, ID 143 A, Mejora, PG-TO252-3 de 3 pines

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Código RS:
349-426
Nº ref. fabric.:
IPD020N03LF2SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

143A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

PG-TO252-3

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.05mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

136W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
Este MOSFET de potencia de 30 V con tecnología StrongIRFET 2 de Infineon presenta una RDS(on) de 2 mΩ, la mejor de su categoría, en un encapsulado DPAK. Este producto está pensado para gran variedad de aplicaciones de baja a alta frecuencia de conmutación.

Productos de uso general

Excelente robustez

Amplia disponibilidad en distribuidores

Encapsulado estándar y disposición de pines

Altos estándares de fabricación y suministro

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