MOSFET sencillos, N-Canal Vishay SI3122DV-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.95 A, Mejora, PowerPAK de 6 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Lo sentimos, no sabemos cuándo volverá a estar disponible
Código RS:
653-088
Nº ref. fabric.:
SI3122DV-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.95A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

SI3122DV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.160Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.34W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

2.9nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.1mm

Anchura

2.98mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de canal N de Vishay está diseñado para conmutación de alta eficiencia en sistemas de alimentación compactos. Admite hasta 100 V de tensión de fuente de drenaje. Envasado en un formato TSOP-6, utiliza la tecnología TrenchFET Gen IV para proporcionar un bajo RDS(on), conmutación rápida y un rendimiento térmico eficiente en diseños de espacio limitado.

Sin Pb

Sin halógenos

Cumplimiento de RoHS

Se utiliza en retroiluminación de LED

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.