MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM RY7P250BMTBC, VDSS 100 V, Mejora, DFN8080T8LSHAAI de 8 pines

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Código RS:
687-343
Nº ref. fabric.:
RY7P250BMTBC
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

DFN8080T8LSHAAI

Serie

RY7P250BM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.86mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Disipación de potencia máxima Pd

340W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

240nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.70 mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

1.7mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones exigentes que requieren una eficiencia y fiabilidad excelentes. Este MOSFET es ideal para usar en controladores de intercambio en caliente y otras aplicaciones de conmutación de potencia, donde su baja resistencia de conexión de 1,86 mΩ garantiza una pérdida de energía mínima durante el funcionamiento. Este componente cumple la directiva RoHS y no contiene halógenos, lo que lo convierte en una opción segura para diseños respetuosos con el medio ambiente. Con funciones avanzadas como pruebas de Rg al 100 % y UIS, garantiza un rendimiento robusto en condiciones variables, por lo que es adecuado para circuitos electrónicos de alto rendimiento y alta fiabilidad.

Baja resistencia de encendido para una mayor eficiencia

Características Wide-SOA para una fiabilidad superior

Diseñado para manejar corrientes de drenaje continuas de hasta 250 A

Alta capacidad de corriente de drenaje pulsada a ±900 A

Excelente gestión térmica con resistencia térmica de 0,44 °C/W

Adecuado para un amplio rango de temperaturas de funcionamiento de –55 a +175 °C

Cumple la directiva RoHS y no contiene halógenos.

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