MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM AW2K21AR, VDSS 30 V, Mejora, WLCSP-2020 de 22 pines
- Código RS:
- 687-361
- Nº ref. fabric.:
- AW2K21AR
- Fabricante:
- ROHM
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 2 unidades)*
2,77 €
(exc. IVA)
3,352 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 08 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tira* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,385 € | 2,77 € |
| 20 - 48 | 1,225 € | 2,45 € |
| 50 - 198 | 1,10 € | 2,20 € |
| 200 - 998 | 0,89 € | 1,78 € |
| 1000 + | 0,865 € | 1,73 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 687-361
- Nº ref. fabric.:
- AW2K21AR
- Fabricante:
- ROHM
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | WLCSP-2020 | |
| Serie | AW2K21 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.0mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20mm | |
| Anchura | 20mm | |
| Altura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado WLCSP-2020 | ||
Serie AW2K21 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.0mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20mm | ||
Anchura 20mm | ||
Altura 5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- JP
El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para ofrecer un rendimiento óptimo en aplicaciones de alta eficiencia. Este MOSFET de fuente común Nch admite una tensión máxima de drenaje a fuente de 30 V y una corriente de drenaje continua de ±20 A, lo que lo convierte en una elección ideal para la conmutación de carga y las funcionalidades de protección. Este dispositivo también cumple las normas RoHS, lo que contribuye a prácticas de diseño respetuosas con el entorno en la electrónica moderna.
La baja resistencia de encendido de 4,0 mΩ maximiza la eficiencia de potencia
Alta capacidad de potencia con una disipación de potencia nominal de 1,6 W
Optimizado para aplicaciones de encapsulado pequeño con un diseño WLCSP
El chapado sin plomo mejora la soldabilidad y el cumplimiento de la normativa medioambiental
El revestimiento trasero reduce el riesgo de corrosión y mejora la durabilidad
El amplio rango de temperaturas de funcionamiento, de –55 a +150 °C, garantiza la fiabilidad en condiciones variadas
Incluye funciones de protección ESD para proteger contra descargas estáticas
Enlaces relacionados
- MOSFET sencillos VDSS 40 V DFN3333T8LSAB de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V MPT3 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 30 V MPT3 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 60 V MPT3 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V DFN2020Y7LSAA de 6 pines
- MOSFET sencillos VDSS 100 V DFN8080T8LSHAAI de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 800 V TO-247 de 3 pines
- MOSFET sencillos VDSS 150 V HSMT-8 de 8 pines