MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SQRS160ELP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 375 A, Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-492
- Nº ref. fabric.:
- SQRS160ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tira de 1 unidad)*
3,53 €
(exc. IVA)
4,27 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 09 de abril de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Tira(s) | Por Tira |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,53 € |
| 10 - 99 | 2,30 € |
| 100 - 499 | 1,68 € |
| 500 - 999 | 1,40 € |
| 1000 + | 1,31 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 851-492
- Nº ref. fabric.:
- SQRS160ELP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 375A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 101nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 375A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 101nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 5mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de automoción de Vishay ofrece un rendimiento robusto para aplicaciones de alta eficiencia, diseñado para proporcionar capacidades de conmutación y fiabilidad superiores en entornos de automoción exigentes.
La configuración de canal N admite aplicaciones de alta corriente
La tecnología TrenchFET Gen IV mejora la eficiencia y el rendimiento térmico
Certificación AEC-Q101 para estándares de seguridad y fiabilidad de automoción
La baja resistencia en estado activo garantiza una pérdida de potencia mínima durante el funcionamiento
Enlaces relacionados
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET de potencia VDSS 60 V Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Modo de mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS -80 V Mejora, PowerPAK (8x8L) de 4 pines
- MOSFET VDSS 150 V Mejora, PowerPAK (8x8LR) de 8 pines