MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SIHG033N60SF-GE3, VDSS 60 V, ID 375 A, Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines

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Código RS:
851-495
Nº ref. fabric.:
SIHG033N60SF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

375A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Modo de mejora

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

101nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101 Qualified

Anchura

5mm

Longitud

6mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de Vishay está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, lo que proporciona una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Este componente dispone de tecnología de diodo de cuerpo rápido, lo que lo convierte en adecuado para condiciones de tensión y corriente exigentes.

La tecnología de la serie SF de última generación mejora la longevidad del rendimiento

La baja cifra de mérito garantiza un funcionamiento eficiente

Clasificación de energía de avalancha, lo que garantiza la robustez en condiciones extremas

La categorización de materiales ayuda al cumplimiento en diversas aplicaciones

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