MOSFET de potencia, Canal N-Canal Vishay SQJQ580E-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 375 A, Modo de mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 851-494
- Nº ref. fabric.:
- SQJQ580E-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 375A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 101nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 Qualified | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Anchura | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 375A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 101nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 Qualified | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 6mm | ||
Anchura 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de automoción de Vishay es un dispositivo de canal N de automoción diseñado para una gestión de potencia fiable. Destaca en condiciones de alta temperatura, lo que garantiza un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones del sector de la automoción.
La tecnología TrenchFET Gen V mejora la eficiencia energética
Certificación AEC-Q101 conforme a estrictos estándares de automoción
La tensión máxima de drenaje a fuente de 80 V garantiza un funcionamiento robusto
La baja resistencia en estado activo proporciona un rendimiento eficiente
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