MOSFET Microchip LND01K1-G, VDSS 9 V, ID 330 mA, SOT-23 de 5 pines, config. Simple

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Código RS:
178-5338
Nº ref. fabric.:
LND01K1-G
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

330 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

9 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,4 Ω

Modo de Canal

Reducción

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +0,6 V

Número de Elementos por Chip

1

Ancho

1.75mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+125 °C

Longitud

3.05mm

Material del transistor

Si

Altura

1.3mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-25 °C

Transistores MOSFET de canal N LND01


Microchip LND01 es un transistor MOSFET de modo de reducción (normalmente activado) y de umbral bajo. El diseño combina la capacidad de gestión de potencia de un transistor bipolar con la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo de los dispositivos MOS.

Características


Bidireccional
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidades de conmutación rápidas
Alta impedancia de entrada y ganancia alta
Bajos requisitos de potencia de excitación
Facilidad de funcionamiento en paralelo


Transistores MOSFET, Microchip

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