MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQD50P06-15L_GE3, VDSS 60 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 180-7967
- Nº ref. fabric.:
- SQD50P06-15L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 2,978 € | 14,89 € |
| 125 - 245 | 2,698 € | 13,49 € |
| 250 - 495 | 2,176 € | 10,88 € |
| 500 + | 1,896 € | 9,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 180-7967
- Nº ref. fabric.:
- SQD50P06-15L_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 98nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.41mm | |
| Altura | 2.38mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 98nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.41mm | ||
Altura 2.38mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- TW
MOSFET Vishay
El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 20V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 15,5mohm a una tensión de fuente de puerta de 10V V. Tiene una corriente de drenaje continua de 50A A y una disipación de potencia máxima de 136W W. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 4,5V V y 10V V respectivamente. Se utiliza en aplicaciones de automoción. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 175 °C.
• Encapsulado con baja resistencia térmica
• MOSFET de potencia TrenchFET
Aplicaciones
• Interruptor adaptador
• Interruptores de carga
Certificaciones
• AEC-Q101
• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• Rg probado
• UIS probado
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