MOSFET Vishay SIHD186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
188-4873
Nº ref. fabric.:
SIHD186N60EF-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

201 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

6.22mm

Longitud

6.73mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

21 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

2.25mm

Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.

Tecnología de la serie E de cuarta generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)

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