MOSFET Vishay SIHD186N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 19 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 188-4873
- Nº ref. fabric.:
- SIHD186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 188-4873
- Nº ref. fabric.:
- SIHD186N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 19 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V | |
| Tipo de Encapsulado | DPAK (TO-252) | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 201 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 5V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 156 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | ±30 V | |
| Ancho | 6.22mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 21 nC a 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tensión de diodo directa | 1.2V | |
| Altura | 2.25mm | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 19 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 600 V | ||
Tipo de Encapsulado DPAK (TO-252) | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 201 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 5V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 156 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente ±30 V | ||
Ancho 6.22mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Longitud 6.73mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 21 nC a 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tensión de diodo directa 1.2V | ||
Altura 2.25mm | ||
Modelo DE ALIMENTACIÓN DE LA SERIE EF con diodo de cuerpo rápido.
Tecnología de la serie E de cuarta generación
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Capacitancia efectiva baja (Co(er))
APLICACIONES
Fuentes de alimentación de servidores y equipos de telecomunicaciones
Fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS)
Fuentes de alimentación con corrección de factor de potencia (PFC)
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
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