MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines
- Código RS:
- 201-0890
- Nº ref. fabric.:
- SCTH35N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 201-0890
- Nº ref. fabric.:
- SCTH35N65G2V-7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 45 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.055 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | SCTH35 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 45 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.055 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie SCTH35 | ||
The STMicroelectronics 650V silicon carbide power MOSFET has a current rating of 45A and drain to source resistance 55m Ohm. It has low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Very fast and robust intrinsic body diode
Low capacitance
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