MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines

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Código RS:
201-0891
Nº ref. fabric.:
SCTH35N65G2V-7
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK-7

Serie

SCTH35

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.055Ω

Modo de canal

Mejora

El MOSFET de potencia de carburo de silicio de 650 V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45 A y Resistencia de drenaje a fuente de 55 m ohmios. Tiene una baja resistencia de conexión por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de la unión.

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia

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