MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

El MOSFET Infineon HEXFET® Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 80V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 55 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. El IRF6668PbF combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET® de silicio con el encapsulado DirectFETTM Advanced para lograr la resistencia de estado en funcionamiento más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección. Se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación. El encapsulado DirectFET permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación, mejorando la mejor resistencia térmica anterior en un 80 %.

Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)