MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6668TRPBF, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

Código RS:: 215-2578
Nº ref. fabric.:: IRF6668TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6668TRPBF, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

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Código RS:: 215-2578
Nº ref. fabric.:: IRF6668TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	DirectFET
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	15mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	31nC
	Disipación de potencia máxima Pd	89W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado DirectFET
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 7
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC
	Disipación de potencia máxima Pd 89W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRF6668TRPBF

El MOSFET Infineon HEXFET® Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 80V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 55 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. El IRF6668PbF combina la última tecnología de MOSFET de potencia HEXFET® de silicio con el encapsulado DirectFETTM Advanced para lograr la resistencia de estado en funcionamiento más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de UN perfil SO-8 y solo 0,7 mm. El encapsulado DirectFET es compatible con geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje de PCB y técnicas de fase de vapor, infrarrojos o soldadura por convección. Se sigue la nota DE aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación. El encapsulado DirectFET permite refrigeración de doble cara para maximizar la transferencia térmica en sistemas de alimentación, mejorando la mejor resistencia térmica anterior en un 80 %.

Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)

Ideal para conector hembra de interruptor primario de convertidor aislado de altas prestaciones

Optimizado para rectificación síncrona

Bajas pérdidas de conducción

Alta inmunidad CDV/dt

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6668TRPBF, VDSS 80 V, ID 55 A, Mejora, DirectFET de 7 pines

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