MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

1.105,00 €

(exc. IVA)

1.337,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 5000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2500 +0,442 €1.105,00 €

*precio indicativo

Código RS:
217-2518
Nº ref. fabric.:
IPD50P04P413ATMA2
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Tensión directa Vf

-1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon -40V, P-Ch, 12,6 MΩ máx., MOSFET de automoción, DPAK, OptiMOS™-P2.

Canal P - nivel normal - modo de mejora

Calificación AEC

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Encapsulado verde (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

Enlaces relacionados