MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD50P04P413ATMA2, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2519
Nº ref. fabric.:
IPD50P04P413ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

58W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Tensión directa Vf

-1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon -40V, P-Ch, 12,6 MΩ máx., MOSFET de automoción, DPAK, OptiMOS™-P2.

Canal P - nivel normal - modo de mejora

Calificación AEC

MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Encapsulado verde (compatible con RoHS)

Prueba de avalancha al 100 %

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