MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R040C7ATMA1, VDSS 650 V, ID 50 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4651
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R040C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4651
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R040C7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 40mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 40mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ C7 es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie 600V Cool MOS™ C7 combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. El 600V C7 es la primera tecnología con RDS(on)*A por debajo de 1Ohm*mm².
Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento) mayor resistencia dv/dt MOSFET a 120V/ns
Mayor eficiencia gracias al mejor FOM RDS(on)*Eoss y RDS(on)*QG de su clase
El mejor RDS(on) /paquete de su clase
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