MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS7D8N10GTWG, VDSS 100 V, ID 110 A, N, PQFN de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
229-6473
Nº ref. fabric.:
NTMFS7D8N10GTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

110A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

NTMFS

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

7.6mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.84V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

92nC

Disipación de potencia máxima Pd

187W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

6mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE canal N ON Semiconductor se produce utilizando un proceso de zanja de potencia Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.

Minimiza las pérdidas de conducción

Alta capacidad de corriente UIS Peak para resistencia

Libre de halógenos

Sin plomo

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