MOSFET onsemi NTMFS7D8N10GTWG, VDSS 100 V, ID 110 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 229-6473
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Fabricante:
- onsemi
2996 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)
3,20 €
(exc. IVA)
3,87 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 3,20 € | 6,40 € |
| 10 - 98 | 2,695 € | 5,39 € |
| 100 - 248 | 2,55 € | 5,10 € |
| 250 - 498 | 2,21 € | 4,42 € |
| 500 + | 2,17 € | 4,34 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-6473
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Fabricante:
- onsemi
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET DE canal N ON Semiconductor se produce utilizando un proceso de zanja de potencia Advanced que incorpora tecnología de puerta apantallada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia de conexión a la vez que se conserva un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo suave de su categoría.
Minimiza las pérdidas de conducción
Alta capacidad de corriente UIS Peak para resistencia
Libre de halógenos
Sin plomo
Alta capacidad de corriente UIS Peak para resistencia
Libre de halógenos
Sin plomo
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 110 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 100 V |
| Tipo de Encapsulado | PQFN 5 x 6 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0,0076 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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