MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines
- Código RS:
- 249-6653
- Nº ref. fabric.:
- SCT040H65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 249-6653
- Nº ref. fabric.:
- SCT040H65G3AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 30 A | |
| Encapsulado | H2PAK-7 | |
| Número de pines | 7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 30 A | ||
Encapsulado H2PAK-7 | ||
Número de pines 7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency
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