MOSFET STMicroelectronics, N-Canal SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
249-6654
Nº ref. fabric.:
SCT040H65G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

650 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

30 A

Encapsulado

H2PAK-7

Número de pines

7

Tipo de montaje

Superficie

The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

AEC-Q101 qualified

Very low RDS(on) over the entire temperature range

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Source sensing pin for increased efficiency

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