MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT040H65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, H2PAK-7 de 7 pines

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Código RS:
249-6654
Nº ref. fabric.:
SCT040H65G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

H2PAK-7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología MOSFET SiC avanzada e innovadora de 3a generación de ST. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con bajas capacitancias y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) muy baja en todo el rango de temperaturas

Alto rendimiento de conmutación

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Pin de detección de fuente para mayor eficacia

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