MOSFET Infineon BSP316PH6327XTSA1, VDSS 100 V, ID 680 mA, SOT-223 de 3 pines

Infineon fabrica este Mosfet con modo de mejora, de canal P y transistor de señal pequeña SIPMOS. El dispositivo es un transistor de modo de mejora de canal P con valor nominal dv/dt ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.

Vds es de 100 V, RDS(on) es de 1,8 Ω e ID es de 0,68 A
La disipación de potencia máxima es de 360 mW