MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.68 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
250-0535
Nº ref. fabric.:
BSP316PH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.68A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon fabrica este Mosfet con modo de mejora, de canal P y transistor de señal pequeña SIPMOS. El dispositivo es un transistor de modo de mejora de canal P con valor nominal dv/dt ampliamente utilizado en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos.

Vds es de 100 V, RDS(on) es de 1,8 Ω e ID es de 0,68 A

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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