MOSFET, N-Canal Vishay SIB452DK-T1-GE3, VDSS 190 V, ID 1.5 A, PowerPAK de 6 pines

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Código RS:
256-7409
Nº ref. fabric.:
SIB452DK-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

190V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de canal N de Vishay Semiconductor con su nuevo encapsulado powerPAK SC-75 mejorado térmicamente tiene un área de huella pequeña y baja resistencia de conexión.

MOSFET de potencia TrenchFET

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