MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR5708DP-T1-RE3, VDSS 150 V, ID 33.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
268-8333
Nº ref. fabric.:
SIR5708DP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

33.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.023Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65.7W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de generación 5 de canal N TrenchFET de Vishay es un dispositivo sin plomo ni halógenos. Se utiliza en aplicaciones como rectificación síncrona, control de accionamiento de motor, fuentes de alimentación.

Cifra de mérito muy baja

Conforme con ROHS

Probado por UIS al 100 por ciento

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